Tác giả :
  
T
hS. Nguyễn Thị Lưỡng-ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM

TÓM TẮT: Đặc trưng I-V của transistor trường ống nano carbon đồng trục (CNTFET) phụ thuộc vào nhiều thông số khác nhau như: kim loại dùng làm điện cực nguồn-máng, vật liệu và bề dày lớp oxit điện môi, kích thước ống nano carbon, nhiệt độ làm việc,… Trong bài viết này tác giả dùng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF) kết hợp với Matlab để mô phỏng và khảo sát những tác động của đường kính và chiều dài ống nano carbon lên họ đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục.

ABSTRACT: The I-V characteristics of coaxial CNTFETs depend on mamy parameters such as: the metal of Source-Drain, the gate materials and the gate thickness, the size of carbon nanotube, thetemperature,… In this paper, we used the non-equilibrium Green’s function (NEGF) method to simulate and present the effects of the diameter and length of the CNT on the I-V characterictics of coaxial CNTFETs.
Toàn văn bài báo ( Thầy/cô vui lòng đăng nhập bằng email ...@hcmute.edu.vn để xem)
Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *
Copyright © Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật - Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM  
Địa chỉ: Phòng 601B, 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh. 
Điện thoại: 08-3722.1223 (8168)
Email:
tapchikhgdkt@hcmute.edu.vn

                                      
                                

Truy cập tháng: 19,937

Tổng truy cập:246,876