NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG OXÍT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT GZO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC

GZO TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILMS FABRICATING BY DC MAGNETRON SPUTTERING

Phạm Thị Lan Anh, Nguyễn Văn Hiếu,

Vũ Thị Hạnh Thu, Đinh Thái Ngọc Hà

Trường Đại Học Khoa Học Tự Nhiên TP.HCM

(Ngày tòa soạn nhận bài 7/01/2015,  ngày phản biện đánh giá 4/02/2015, ngày chấp nhận đăng 20/3/2015)

TÓM TẮT

Màng ZnO pha tạp Ga 5% at (GZO) trên đế thủy tinh được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm GZO ở nhiệt độ phòng. Công trình đã khảo sát ảnh hưởng của khoảng cách bia đế, thời gian phún xạ và công suất phún xạ đến tính chất quang điện của màng GZO. Kết quả cho thấy màng GZO trên đế thủy tinh có cấu trúc tinh thể tốt và phát triển ưu tiên theo mặt mạng (002), điện trở suất thấp bậc 10-4Ωcm, độ truyền qua trung bình trong vùng ánh sáng khả kiến trên 80%

ABSTRACT

Ga-doped ZnO (GZO) films were prepared on glass substrates from GZO target by DC magnetron sputtering at room temperature. The effect of target – substrates distance, sputtering time, and sputtering power on optical and electrical properties of the films was investigated. The results show that GZO films have high crystallinitywith (002) peak orientation, the lowest electrical resistivity of  ~ 10-4 Ωcm, average transparency of T > 80% in the visible light region.

Từ khóa: Màng dẫn điện trong suốt GZO, TCO, phún xạ

Toàn văn bài báo ( Thầy/cô vui lòng đăng nhập bằng email ...@hcmute.edu.vn để xem)

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *
Copyright © Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật - Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM  
Địa chỉ: Phòng 601B, 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh. 
Điện thoại: 08-3722.1223 (8168)
Email:
tapchikhgdkt@hcmute.edu.vn

                                      
                                

Truy cập tháng: 20,696

Tổng truy cập:230,029