Nguyễn Văn Kiên,Đoàn Duy

Trung Tâm Nghiên Cứu và Đào Tạo Thiết Kế Vi mạch (ICDREC)

TÓM TẮT: Một thiết kế mạch khuếch đại mức nhiễu thấp (LNA) ở tần số 433MHz với công nghệ thiết kế 0.13μm RFCMOS của GLOBALFOUNDRIES sẽ được trình bày trong bài báo này. Mạch LNA được thiết kế với hệ số nhiễu NF là 1,905dB, hệ số khuếch đại 15,5dB, thông số ổn định 331, công suất tiêu thụ 13,66mW, điểm chắn bậc ba ngõ vào IIP3là -4,9dBm và diện tích lõi IP là 806µm x 506µm. Hơn nữa, mạch LNA được phối hợp trở kháng ở ngõ vào và ngõ ra 50Ohm với thông số phản xạ ngõ vào là -13,72dB và thông số phản xạ ngõ ra là -25,65dB.

Từ khóa: LNA (Low-Noise Amplifier), IP (Intellectual Property) IIP3 (Input Third Intercept Point), NF (Noise Figure).

ABSTRACT: An implementation of the 433MHz CMOS Low Noise Amplifier (LNA) using 0.13μm RFCMOS process of GLOBALFOUNDRIES will be presented in this paper. The LNA is designed with noise figure of 1.905dB, forward gain of 15.5dB, high stability factor of 331, low power consumption of 13.66mW and high linearity with the third order input intercept point of -4.9dBm.The core area of the IP covers 806µmx506µm. In addition, LNA is good at input and output impedance matching to 50Ohms with reflection coefficients of -13.72dB and -25.65dB respectively.

Keywords: LNA (Low-Noise Amplifier), IP (intellectual property), IIP3, Input Third Intercept Point, NF (Noise Figure).
Toàn văn bài báo ( Thầy/cô vui lòng đăng nhập bằng email ...@hcmute.edu.vn để xem)

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *
Copyright © Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật - Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM  
Địa chỉ: Phòng 601B, 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh. 
Điện thoại: 08-3722.1223 (8168)
Email:
tapchikhgdkt@hcmute.edu.vn

                                      
                                

Truy cập tháng: 17,929

Tổng truy cập:244,868