Tác giả :
Some new results in simulation of single electron transitor
Một số kết quả mới trong mô phỏng transistor đơn điện tử
Le Hoang Minh1, Dinh Sy Hien2

1Ho Chi Minh City University of Technology and Education, Vietnam
2The University of Science, VNU-HCM, Vietnam
Received 16/01/2017, Peer reviewed 18/2/2017, Accepted for publication 25/2/2017
ABSTRACT
Single electron transistor (SET) is a key element in current research area of nano-electronics and nano-technology, which can offer nano-feature size, low power consumption, high operating speed and high-density integration. SET is a new nano-scale switching device; it can control the motion of the single electron and its operation is based on the tunneling effect. Research on SET by experiments is a challenge for researchers in current domestic conditions. Meanwhile, simulation is a research method which can achieve reliable results and feasible. Simulated results can be used to orient for manufacture and experiment. The goal of this work is to discuss briefly about physics of the SET and focuses on simulation of basic quantum device characteristics like tunneling effect, Coulomb blockage, Quantum dot, Coulomb staircase, and Coulomb oscillation. The current-voltage characteristics of SET are explored for illustration. Model of SETs based on one-energy level (metallic) and multi-energy level (semiconducting) has been proposed. Two types of metallic and semiconducting SETs have been simulated.
Keywords: single electron transistor; current-voltage characteristics; Coulomb blockage; Coulomb staircase; Coulomb oscillation.
TÓM TẮT
Transistor đơn điện tử (SET) là một yếu tố cơ bản trong lĩnh vực nghiên cứu về điện tử nano và công nghệ nano hiện nay. SET cho kích thước đặc tính nano, tiêu tốn công suất thấp, tốc độ làm việc cao và mật độ tích hợp cao. SET là một linh kiện chuyển mạch thang nano mới; có thể điều khiển chuyển động của một điện tử và hoạt động dựa trên hiệu ứng xuyên hầm. Việc nghiên cứu SET thực nghiệm trong nước chưa thể thực hiện được trong điều kiện hiện nay.Trong khi đó mô phỏng là phương pháp nghiên cứu cho ra kết quả đáng tin cậy và hoàn toàn thực hiện được. Kết quả mô phỏng sẽ định hướng cho chế tạo và thực nghiệm. Mục tiêu của bài báo này là bàn về vật lý của SET và tập trung lên mô phỏng đặc trưng lượng tử cơ bản của linh kiện như hiệu ứng xuyên hầm, khóa Coulomb, chấm lượng tử, bậc thang Coulomb và dao động Coulomb. Những đặc trưng dòng-thế được nghiên cứu kỹ dùng để minh họa. Mô hình của SET dựa trên một mức năng lượng (SET kim loại) và nhiều mức (SET bán dẫn). Hai loại SET kim loại và bán dẫn đã được mô phỏng.
Từ khóa: Transistor đơn điện tử; đặc trưng dòng-thế; khóa Coulomb; bậc thang Coulomb; dao động Coulomb.
Toàn văn bài báo ( Thầy/cô vui lòng đăng nhập bằng email ...@hcmute.edu.vn để xem)

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *
Copyright © Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật - Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM  
Địa chỉ: Phòng 601B, 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh. 
Điện thoại: 08-3722.1223 (8168)
Email:
tapchikhgdkt@hcmute.edu.vn

                                      
                                

Truy cập tháng: 19,977

Tổng truy cập:246,916