Tác giả :
A study on number and thickness of InGaN/AlGaN multiple quantum well structure for 365nm - 385nm ultraviolet light-emitting diodes
Nghiên cứu số lượng và độ dày của InGaN/AlGaN đa giếng lượng tử cho điốt phát xạ cực tím 365nm - 385nm
Huynh Hoang Trung1, Nguyen Van Hieu2

1Ho Chi Minh City University of Technology and Education, Vietnam
2VNU-Ho Chi Minh City University of Science, Vietnam
Received 02/4/2016, Peer reviewed 02/8/2016, Accepted for publication 25/8/2016
ABSTRACT
In this paper, the authors report a study on number of layers and thickness of InGaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) structure based ultraviolet (UV) light emitting diode (LED) heterostructures with emission at the wavelength within the range from 365nm to 385nm, which has been studied by means of SiLENSe software and drift-diffusion transport equations for electron and hole concentrations. The multiple quantum well active region in UV LED heterostructures consists of i-In0.05Ga0.95N well layers and i-Al0.22Ga0.78N barrier layers. The thickness of each In0.05Ga0.95N well layer or Al0.22Ga0.78N barrier layer of quantum well is increased from 1.0nm to 5.0nm. Based on the UV LED emission spectrums, the authors have found that emitting wavelength changed from 364nm (five pairs of MQW layers with d = 2.0nm) to 412nm (four pairs of MQW layers with d = 5.0nm). The peak wavelength of emission spectra of UV LED structure with five pairs In0.05Ga0.95N (3.0nm-thick) well layer and Al0.22Ga0.78N (3.0nm-thick) barrier layer of MQW active region was 377.5nm. Results of the studies are almost in good agreement with other experimental results. 
Keywords: InGaN; AlGaN; UV LED; MQWs; wavelength.
TÓM TẮT
Trong bài báo này, tác giả trình bày nghiên cứu về số lớp và độ dày của InGaN/AlGaN đa giếng lượng tử (MQW) cho điốt phát xạ cực tím với bước sóng phát xạ từ 365nm đến 385nm, nghiên cứu được thực hiện dựa trên phần mềm SiLENSe và các phương trình vận chuyển trôi-khuếch tán của nồng độ điện tử và lỗ trống. Vùng hoạt động đa giếng lượng tử MQW trong UV LED dị cấu trúc gồm có những lớp i-In0.05Ga0.95N giếng và những lớp i-Al0.22Ga0.78N rào cản. Độ dày của mỗi lớp i-In0.05Ga0.95N giếng hoặc lớp i-Al0.22Ga0.78N rào cản của giếng lượng tử (QW) được tăng từ 1.0nm đến 5.0nm. Dựa trên những phổ phát xạ của UV LED, tác giả nhận thấy rằng bước sóng phát xạ thay đổi từ 364nm (5 lớp MQW với d = 2.0nm) đến 413nm (4 lớp MQW với d =5.0nm). Đỉnh phổ phát xạ của cấu trúc UV LED với 5 cặp InGaN/AlGaN của vùng hoạt động MQW là 377.5nm. Những kết quả nghiên cứu đạt được phù hợp tốt với những kết quả thực nghiệm công bố gần đây. 
Từ khóa: InGaN; AlGaN; LED cực tím; đa giếng lượng tử; bước sóng.
Toàn văn bài báo ( Thầy/cô vui lòng đăng nhập bằng email ...@hcmute.edu.vn để xem)

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *
Copyright © Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật - Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM  
Địa chỉ: Phòng 601B, 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh. 
Điện thoại: 08-3722.1223 (8168)
Email:
tapchikhgdkt@hcmute.edu.vn

                                      
                                

Truy cập tháng: 19,998

Tổng truy cập:246,937