Tác giả :

Pham Thanh Trung- ĐH SPKT TP.HCM

Dinh Sy Hien-ĐH KHTN TP.HCM

ABSTRACT:This paper provides a brief tutorial for resonant tunneling theory and the operation of the future nanoelectronic devices using quantum effects employed in semiconductor industry for fabrication of computer devices and very high frequency oscillators. A typical model of resonant electronic transport through a double-barrier structure was developed. For each region of the system, analytic solutions to equation were obtained, and these solutions formed the basis of the simulative code written to output plots of resonant peaks based on varying barrier parameters. Resonances in transmission probability and in the electron density inside the quantum well were then considered for a number of these different parameters. As an application of the model to device physics, a brief discussion of the concepts governing resonant tunneling devices is also included, especially prospects for applications in next generation optoelectronic nanostructures such as light emitting diodes, semiconductor quantum dot lasers.

Key words: Resonant tunneling nanostructure, nanoelectronic device, quantum simulation

TÓM TT:Bài viết này đưa ra mt bc tranh súc tích v lý thuyết hiu ng cng hưởng đường hm và hot đng ca các linh kin đin t nano da trên nhng hiu ng lượng t trong công nghip bán dn dùng đ chế to các linh kin máy tính và b dao đng siêu cao tn. Mt mô hình đc trưng truyn dn đin t hiu ng cng hưởng đường hm thông qua cu trúc hai rào đã được minh chng. Trong mi vùng ca h thng cu trúc, phương trình Schrodinger lượng t đã được phân tích vi các đnh cng hưởng ph thuc vào s thay đi thông s rào cn như đã ch ra trên công c mô phng. S cng hưởng s thay đi tùy thuc xác sut truyn và mt đ đin t bên trong giếng thế vi s tác đng ca nhiu tham s khác nhau. Như mt ng dng ca mô hình vt lý linh kin, mt tho lun vn tt v nhng trin vng có th ng dng cho nhng cu trúc nano quang đin t thế h mi như đit phát sáng, laze chm lượng t bán dn.

T khóa: Cu trúc nano đường hm cng hưởng, linh kin đin t nano, mô phng lượng t

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *
Copyright © Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật - Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM  
Địa chỉ: Phòng 601B, 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh. 
Điện thoại: 08-3722.1223 (8168)
Email:
tapchikhgdkt@hcmute.edu.vn

                                      
                                

Truy cập tháng: 17,919

Tổng truy cập:244,858