Tác giả :

Hoàng Trung, Lê Hoàng Minh-ĐH Sư phm K thut TP. HCM

PGS.TS. Đinh S Hin-ĐH Khoa hc T nhiên, ĐH QG TP. HCM

TÓM TT: Transistor mt đin t (SET) là mt yếu t quan trng trong lĩnh vc nghiên cu ca chúng tôi, hot đng ca linh kin da trên s vn chuyn tng đin t mt qua kênh dn s dng hiu ng khóa Coulomb. Trong bài bào này, chúng tôi cung cp mt cái nhìn tng quan v nhng phát trin trong nghiên cu ca SET. Chúng tôi s dng phương pháp hàm Green không cân bng (NEGF) đ tính toán hàm truyn, dao đng Coulomb và nhng đc trưng dòng-thế ca SET. Chương trình mô phng được viết nh giao din đ ha người s dng (GUI) trong MatLab. Nhng nh hưởng ca đin dung, thiên áp và nhit đ lên nhng đc trưng dòng-thế ca SET cũng được trình bày.

ABSTRACT: Single electron transistor (SET) is a key element in our research field where device operation is based on one-by-one electron through the channel utilizing the Coulomb blockade effect. In this paper, we provide an overview of research developments of SET. This is achieved in this model by usingNon-Equilibrium Green Function (NEGF) method to compute transport function, Coulomb oscillation, and ultimately the current-voltage characteristics. The simulation program is written by using graphic user guide (GUI) in MatLab. The effects of capacitance, bias, and temperature on current-voltage characteristics of SET are also presented.

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *
Copyright © Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật - Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM  
Địa chỉ: Phòng 601B, 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh. 
Điện thoại: 08-3722.1223 (8168)
Email:
tapchikhgdkt@hcmute.edu.vn

                                      
                                

Truy cập tháng: 20,949

Tổng truy cập:230,282